会员登录 - 用户注册 - 设为首页 - 加入收藏 - 网站地图 宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货!

宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货

时间:2025-05-09 02:37:00 来源:刺股悬梁网 作者:时讯 阅读:346次

(责任编辑:宏观研究)

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